Grunnleggende egenskaper for isolert gate bipolar transistor (IGBT)

Viktigste elektriske egenskaper

Høy inngangsimpedans: Arver egenskapene til MOSFET, krever lav drivkraft og har en enkel drivkrets.

 

Lavt ledningsspenningsfall: Bruker konduktivitetsmodulasjonseffekten; metningsspenningen på-tilstand (Vce(sat)) er mye lavere enn for MOSFET-er med samme spenningsklassifisering, vanligvis 1,5~3V.

 

Høy spenning og stor strømkapasitet: Egnet for spenningsnivåer fra 600V til 6500V, med strøm som når over 10A til 1800A.

 

Moderat byttefrekvens: Driftsfrekvensområdet er vanligvis titalls kHz (som 10–100 kHz), høyere enn BJT, men lavere enn MOSFET.

 

Positiv temperaturkoeffisient: Under merkestrømmen øker Vce(sat) litt med temperaturen, noe som er fordelaktig for strømdeling når den brukes parallelt.