Industry

Kjerneprinsippet til DC-motorer er basert på elektromagnetisk induksjon: når strømmen passerer gjennom statorviklingene, genereres et fast magnetfelt.

Designkonseptet til Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) fokuserer på å kombinere fordelene med strøm-MOSFET-er og bipolare junction-transistorer

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT-er) er sammensatte krafthalvlederenheter for høyspenning, høystrøm og høy-svitsjing.

I halv-bro/full-brotopologier må dødtid (vanligvis 0,5~2μs) settes inn under vekslingen av øvre og nedre transistorer for å forhindre direkte kortslut

I likhet med MOSFET-er er IGBT-er spenningsdrevne-enheter, med porten som nesten ikke bruker strøm, noe som gjør drivkretsen enkel og-med lav strøm.

Fungerer som en bytteenhet for å oppnå effektiv konvertering mellom DC og AC (som DC/AC-inversjon).

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) er en sammensatt fullstendig-kontrollert spenning-drevet krafthalvlederenhet som kombinerer den høye inngangs

Humanoid-robotnøkkelmoduler (spesielt leddmoduler) er kjernekomponentene for å oppnå høy-dynamisk og høy-presisjonsbevegelse.

Som svært integrerte menneskelige-som intelligente systemer, stoler humanoide roboter på nøkkelmoduler som til sammen støtter kjernefunksjoner som bev

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) er en sammensatt fullt kontrollert, spennings-drevet krafthalvlederenhet som kombinerer fordelene med MOSFET

Bruker en fraksjonert-sporkonsentrert viklingsstruktur og en fler-polet multi-sportilpasningsmetode, reduserer endeviklinger, reduserer de aksiale og

Vedlikehold av en trinnmotor er avgjørende for å sikre driftsstabilitet og forlenge levetiden.